科技媒体 NotebookCheck 8 月 20 日发布博文，中国深圳一位卖家日前在二手交易平台挂出高通下一代旗舰芯片——安卓最强 2nm 芯片，该芯片型号为SM8975-100-BC，暂被命名为骁龙8 Elite Gen6 Pro。该商品为从测试板上拆下的工程样品，标价300元人民币。卖家称有批量库存，但该商品上线后不久即被下架。该页面显示已经下架。根据该媒体分享的图片，共有 2 颗芯片，均激光刻印 SM8975-100-BC 字样，表明是该芯片的首个 LPDDR5X 工程样品（ES）版本。两颗芯片各自带有批号：一颗为 FC5528M5，另一颗为 FX602R8T。
根据批次代码解码，F代表台积电为晶圆代工厂，可能采用N2P工艺；C代表安靠韩国封装厂，5代表2025年，52代表第52周，即封装日期为2025年12月底。另一颗芯片的F同样代表台积电，X代表安靠日本封装厂，6代表2026年，02代表第2周，即封装日期为2026年1月初。两个日期表明高通在2025年12月底已拥有可工作的测试芯片，样品于2026年2月3日起向OEM厂商提供。
值得注意的是，以上信息均未获得高通官方确认。芯片来源、功能甚至刻印准确性均基于已下架的二手商品信息，批次代码解码虽基于获取的资料，但无法通过公开文档独立验证。
这些照片也首次真实展现了高通参考三星 Exynos 2600 芯片上的“HPB 散热导流块”设计方案：一个位于芯片和封装盖之间的内部散热片。
图为骁龙 8 Elite Gen 6 Pro 封装
图为三星 Exynos 2600 芯片封装
消息源称高通的内存封装方式不同于 Exynos 2600 芯片。三星的 Exynos 2600 采用更小的 563 球 FBGA 封装来支持 LPDDR5X 内存。
而高通旗舰芯片需要同时支持 LPDDR6 和 LPDDR5X，其中 LPDDR6 版本采用 1295 球 FBGA 封装，而 LPDDR5X 版本采用 496 球 FBGA 封装。这两种封装都减少了芯片上用于散热片的物理空间。
